SENTECH的si500d等离子体沉积工具代表了等离子体增强化学气相沉积介质薄膜、SiC、a-Si和其他附加材料的前沿。欧洲杯足球竞彩
该工具基于PTSA等离子体源，具有动态温度控制的基片电极，使用远程现场总线技术的成熟的SENTECH控制软件，反应气体的分离气体入口，完全受控的真空系统，以及易于使用的通用用户界面来控制SI 500 D。
的SI 500d等离子体沉积系统可加工多种类型的基片，从直径达200毫米的晶圆到放置在载体上的部件。单片真空负载锁确保稳定的工艺条件，并使工艺之间的交换毫不费力。
组织了si500d等离子体增强沉积工具用于沉积SiNx、硅、SiO2和锡安x薄膜的温度范围在室温至350°C之间。提供了沉积SiC、正硅酸乙酯和其他含有气体或液体前驱体的材料的溶液。欧洲杯足球竞彩SI 500 D是在最低温度下沉积有机材料上的高效保护屏障和在预先确定的温度下无变形沉积钝化膜的理想选择。欧洲杯足球竞彩
SENTECH提供各种级别的自动化，从真空盒式加载和单个过程室组成的六个端口集群与不同的沉积和蚀刻模块，以高吞吐量或高灵活性。此外，SI 500 D可以作为集群配置的过程模块提供。
关键特性
- 激光端点探测
- 沉积层的特殊性能
- 最小的压力
- 高击穿电压
- 低腐蚀率
- 极低的界面态密度，直至沉积温度低于100°C，允许沉积膜具有特殊的性能
- 基片无损伤
- 优良高密度等离子体
- 动态温度控制
- 采用动态温度控制的衬底电极包含衬底背面温度传感和He背面冷却的组合。
- 平面ICP等离子体源
- SENTECH专有的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许非常有效的低功率耦合
- 可选的衬底偏置