Henniker等离子体的广泛配置范围等离子体蚀刻系统可配置用于化学和物理蚀刻应用，如增强含氟聚合物(包括PTFE)的润湿性，也可用于去除光刻胶。化学等离子体蚀刻用于在微观尺度上使表面“粗糙化”。
该组件的表面是用反应气体蚀刻的。材料被精确地溅射出来，转化为气相，并通过真空系统去除。
表面积显著增加，使材料易于润湿。蚀刻用于胶合、印刷和涂装之前，主要用于POM和PTFE的加工，例如，否则不能粘接或印刷。
物理蚀刻或反应离子蚀刻过程带来一个高方向通量的高能，反应离子表面的材料。通过这样做，当未掩蔽的样品被活性离子腐蚀掉时，衬底的精确控制图案就发生了。
所有亨尼克等离子体的等离子体系统都可以配置为活性离子蚀刻，使其成为理想的，经济的实验室开发工具的应用，如有机电子或半导体研究。
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关键特性
- 驱动电极配置
- 用户友好的TFT软件控制
- 使用活性气体操作
- 不间断可变功率输出
- 实验室/工艺规模室容积从直径100mm开始
- 煤气淋浴和温度控制选项