的奎托斯氩气团离子源(GCIS)是理想的深度剖析无机材料在Ar欧洲杯足球竞彩+AR中的单体模式和有机材料欧洲杯足球竞彩n+聚类模式，根据用户设定的操作参数和要型材的材料类型。
离子在Ar中能被加速到最大20kevn+离子团簇模式，使成功的溅射深度轮廓的最广泛的聚合物材料被尝试。欧洲杯足球竞彩然而,基于“增大化现实”技术n+簇深度谱法能够为无机材料提供非常低的溅射率。欧洲杯足球竞彩为了保留从这类材料产生深度轮廓的能力，这个离子源也可以在更传统的Ar单体(Ar欧洲杯足球竞彩+)模式。
最近有机材料的深度分析的发展基于溅射，大AR欧洲杯足球竞彩n+包含数百甚至数千个原子的离子簇。
与单原子离子相比，大的团簇离子不会深入到材料中，模型显示，撞击的能量沉积在表面的前几纳米内。由于能量由团簇中的所有原子共享，每个抛射原子的能量或分配能量可以低至几个电子伏，因此团簇离子只从近表面区域溅射物质，而不触及次表面层。
硬件
Ar GCIS可以安装在DN64 (4.5" OD)法兰上，具有适合AXIS Supra和AXIS Nova光电子光谱仪的工作距离。GCIS是由两个专用涡轮分子泵差压泵送，由一个无油涡旋泵支持，由样品进入腔提供额外的泵送。
将两度弯曲添加到离子束柱中以消除光束的高能量中性，因为这些颗粒在深度分析期间可以显着降低界面分辨率，因为它们更大的渗透深度进入样品。欧洲杯猜球平台阀门，气体压力和操作参数全部通过采集软件控制。
Ar气团运行模式
当气体通过拉瓦尔喷管从高压膨胀到源区真空时，大的Ar团簇通过等熵绝热冷却发展。Ar团簇被电子碰撞电离并沿离子柱加速。采用维恩速度滤波器来减小簇大小的采样范围。离子被加速到最大20 keV (Ar+集群模式)或5kev (Ar+单体)与一系列透镜，以聚焦和四极扫描板光栅的离子斑跨越表面的样品。
通过在Wien滤波器上设置相应的电场来建立中位数群集大小。使用的簇尺寸可以与AR不同500.+对基于“增大化现实”技术2000年+因此，每个Ar原子的分配能可以从2.5 eV(如2.5 keV/1000团簇等)变化到40 eV。
Ar单原子工作模式
离子源也可以在更传统的单麦芽制剂中操作+模式，更适合深度分析无机样品。研究表明，使用AR簇时，这类样品的溅射产量非常低，因此能够使用AR溅射至关重要+离子。切换到Ar单体模式只需要在采集软件中选择合适的表项即可。
单原子工作模式
GCIS也被设计用于使用He单体+用于离子散射光谱(ISS)实验。离子散射光谱是光谱仪的可选操作模式。在这种模式下，离子源在非常低的离子束电流下工作，以保持在静态极限以下。
软件
采集软件促进了对AR GCI的完全控制。操作参数存储在一个表中，该表可用于在使用源之前重新建立优化条件。在使用期间，可以监视GCI的状态以遵循源的工作参数。这些参数也可以存储到日志文件;启用对GCIS的操作条件的扩展监控。
使用采集软件的真空控制部分中的自动序列，容易实现对GCIS的操作所需的气流的控制。气体处理系统的完整自动化意味着GCI可以远程操作，或无人看管。使用真空模拟图和“安全手动”模式，也可以控制单独的阀门，泵和仪表的控制。
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应用程序
最大的灵活性
发表的研究1已经证明，各种类型的聚合物具有不同的溅射产率，取决于各种簇尺寸和能量。为了在可以有效地分析的材料范围内获得最高灵活性，可以特别地定义离子源参数，包括主束能量和簇尺寸，以优化在分析下欧洲杯足球竞彩的样本的溅射产率。
使用GCIS Ar获得的数据n+[图1]示出了聚（乳酸CO乙醇酸），PLGA的溅射产率在主束能量上非常依赖。此外，很明显，产生具有20keV能量的离子的能力导致PLGA的更大的离子产率。
图1所示。在60nm薄膜PLGA聚合物Si上溅射Ar1000+在一个主束能量范围内的产量
有机/有机多层深度剖面（AR500.+）
以下实施例是通过有机/有机多层样品的溅射深度曲线，其中10个交替层含有高氮浓度的聚酯，以及具有低氮浓度的甲基丙烯酸甲酯，其中每个聚合物层是标称100nm厚的标称100nm。示例被示出为图2中的示意图。
图2。聚合物/聚合物多层和来自每层的代表性光谱
数据来自110µm的分析区域，中心为1.5 x 1.5 mm2溅射坑。GCIS以集群模式应用，采用Ar500.+加速至5 kev，每次atom提供10eV的分区能量。浓度深度轮廓在图3中示出，碳化学状态绘制溅射深度。它立即明确表示，两个聚合物的溅射产率在使用的离子源参数下类似，为双层提供18.5nm / min的平均蚀刻速率。
还注意到，在轮廓期间保持出色的界面分辨率，具有在聚合物层9和10之间的界面分辨率测量为15nm。图4示出了作为溅射循环的操作的C 1S，O 1S和N 1S的窄区域扫描。这表明两种聚合物的化学在整个深度型材中保留。
图3。聚合物/聚合物多层膜的c1s化学态深度剖面
图4。高分辨率，窄区扫描的C 1s, O 1s和N 1s区域作为溅射周期的函数。“如所述”表面位于图的底部，随着在每个图的顶部的大块非晶碳基板的垂直腐蚀时间的增加。