基于实验室仪器的标准X射线源是MgKα或AlKα，分别提供1254.6eV和1486.6 ev的光子。
这里演示了单色Ag LαX射线源的使用，它使用与Al Kα相同的石英晶体的二级衍射；可以轻松地将其放置在最新的光谱仪上。
aglα的光子能量为2984.2ev；大约是alkα（1486.6ev）的两倍。这种更大的能量不仅会激发某些元素的额外的、更高的结合能、核心线（表1），而且还会选择更深层的分析，因为衰减长度会随着光电子能量的增加而减少2..
例如，在动能（KE）1201 eV时，使用Al KαX射线的C 1s的非弹性平均自由程（IMFP）为3.14 nm，结合能为285 eV，但对于Ag Lα，这在KE 2699 eV时提高到5.89 eV3..
表1。核心线结合能在Ag LαX射线范围内，但不是Al Kα（*至少为doublet的一半）的元素4.
| 核心线 |
元素 |
| 1s |
Al-Si-P-S-Cl |
| 2s |
As-Mo |
| 2p |
Br-Ru |
| 3秒 |
Pr-Re |
| 3p* |
Sm-Tl |
| 三维* |
Tm-Rn |
下面提供的示例显示了来自单晶MoS的数据2.样品在图1中，使用Ag Lα（黑色）单色X射线源和Al KαX射线源（红色）显示“引入时”的光谱，光谱标准化为Mo 3d峰值强度。很明显，较高的Mo 2p和S 1s峰是用较高的光子能量激发的。
图1。从“介绍”MOS的调查光谱2.使用Al Kα（红色）和Ag Lα（黑色）X射线的单晶样品。插图显示扩展的低BE范围，两个光谱标准化为Mo 3d峰值强度。
在“引入”样品中的表征后，使用Ar气体聚类离子源进行蚀刻表面，并使用AR1000+在10千电子伏束能量下，试图减少与单原子氩溅射相关的表面损伤+离子。下面的示意图说明了气体簇与完美表面的相互作用，其中由冲击引起的损坏是局部的。另外，该图示出了用AlKα（红色）和AgLαX射线（蓝色）激发电子激发的电子的Mo 3D光电子突出深度。
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由于MO 3D光电子的更大动能使用AgLα激发，样品深度几乎是AlKα激发光谱的两倍。图2中所示的MO 3D光谱均在20秒蚀刻循环之后从相同的样品获得。注意，每个MO 3D自旋轨道分裂部件表现出与样品化学有关的双重。这些信封的曲线配合如图3所示。
图2。Arn+离子团碰撞示意图，以及使用两个X射线源的表面和相对采样深度。光谱显示了用alkα（红色）和aglα（黑色）X射线记录的mo3d/s2区域。
Mo 3d包络已被拟合为两种化学状态，相当于未受干扰的Mo2.莫3d的地方5/2峰值出现在229.2 eV的结合能处，减少的金属样峰值出现在228.1 eV的结合能处。
对于Al Kα激发光谱，Mo（IV）与Mo（0）的比值为0.43，而Ag Lα激发光谱的比值为1.25。比率的差异可通过增加Ag Lα的采样深度来解释，因此使用更高的激发能量源对额外的未扰动次表面进行采样。值得注意的是，与Mo 3d相比，两种X射线源的S 2s横截面有很大不同。
图3。溅射MoS的Mo 3d/S 2s包络曲线拟合2.使用alkα和aglα激发源。
参考文献和进一步阅读
- K耶茨和右西，冲浪。接口分析，1983年，第4、5页
- MP Seah＆Wa Dench，Surf。界面肛门。，1979,1,2
- www.nist.gov
- X射线数据手册LBNL/PUB-490版本，2001年1月2日