在渗碳过程中，在碳原子中的吸收和掺入铜基质的晶体结构中。与固态基质相比，液体铜基质的最大碳含量相比显着降低，因此在加热到熔点之上，金属基质与碳原子变为饱和。HSMG.®生长取决于来自液态金属基质的受控碳沉淀。
生长进展开始于金属底物上单六方薄片的成核。在成核过程中，液体基质使颗粒旋转和重排成为更大的晶粒尺寸和增强的石墨烯特性。完全控制该过程，使得具有确定数量的层的石墨烯片制造。
稳定的负热系数
HSMG®样品在循环试验期间表现出抗相升温关系。
HSMG.®电阻温度系数：-1.7⋅10-3÷-4⋅10-4[1 /κ]
高效的气体吸收
HSMG.®表现出易受可逆气体吸附的脆弱性（包括来自气体混合物的选择性氢气吸附），其允许施用HSMG®作为未来气体传感器的功能材料。
单层高强度冶金石墨烯 - HSMG®
Nomarski干扰对比度图像 - 成核期间的颗粒布置