Phantom III RIE（反应离子蚀刻系统）旨在使用使用氟和基于基于含氧的化学物质的单晶片，模具或零件来提供具有最先进的等离子体蚀刻能力的研究和故障分析实验室。该系统具有紧凑，模块化设计，内置于节省空间的平台上。
应用程序
已经开发了用于二氧化硅的各向同性或各向异性蚀刻的方法，氮化硅和需要氟化或任何无毒，非腐蚀性化学物质的各向异性蚀刻。欧洲杯足球竞彩Phantom III在购买之前和之后都有完整的过程支持。
工具特征
- 反应堆
将阴极和阳极从单个铝块中加工。经过批判后，它们是一种用于保护过程化学的阳极氧化。底部电极以200mm或300mm尺寸可用，可以处理单个晶片，模具或部件（2“ - 300mm）。工艺气体通过环形环或淋浴头歧管引入腔室。
- 自动匹配网络
独特设计的网络内置为底部电极组件的组成部分，以确保准确的调谐，低传输损耗，并且在网络本身之外的几乎没有RF辐射。网络使用相位幅度传感器和放大器，以提供瞬时反馈，以便快速精确调谐。
- RF发电机
该系统配有600瓦，13.56 MHz固态RF发电机。
- 触摸屏操作员界面
带触摸屏界面的彩色平板显示器始终为操作员提供完整的过程信息。软件接口以逻辑方式通过每个序列引导操作员，并为所有工艺参数提供指尖控制。
- PC过程控制器
PC过程控制器提供简单可靠的系统控制。图形软件包以框图表单创建程序。处理配方存储在硬盘驱动器上，或者可以存储在USB闪存驱动器上，允许每个操作员维护单个配方。
- AC分配模块
AC分配模块会自动将预定义电量分配给各种内部组件。当跳闸紧急电源关闭按钮时，RF电源关闭，并且涉及带有气体输送的所有阀门都自动关闭，并且机器向下电至安全备用模式。该系统包括用于主AC和外围设备的单独功率控制。
- 自动控制
每个Trion系统都包括由过程控制器直接操作的蝶形压力控制阀。这提供了与所有其他处理参数分开的独立压力控制。
- 气体输送系统
最先进的技术用于确保最大的完整性和纯度。每个反应室都容纳两个质量流量控制器，所有的管道都利用表面贴装，C密封技术或轨道焊接VCR配件。
- 安全
该系统符合SEMI S2-93安全要求。该系统是CE符合机械指令98/37 / EC，低电压指令73/23 / EEC和用于CE标记要求的电磁兼容性指令89/336 / EEC。可根据要求提供第三方安全审核。