PlasmApro 100 Cobra®来自牛津仪器的ICP系统利用高密度等离子体来实现快速蚀刻和沉积速率。该系统的过程模块提供高精度，高通量，低损坏过程和卓越的均匀性，对于最高可达200毫米的晶片。
由牛津仪器提供的系统具有集成的宽度安装基座，具有大批量制造（HVM），以及开发的工艺解决方案。PlasmApro 100 Cobra®用于各种领域，例如GaAs和InP激光光电子，MEMS和传感器，RF以及SIC和GaN电力电子器件。
- 兼容晶圆，可达200毫米
- 电极温度范围为-150°C至400°C
- 多功能布局和紧凑的脚印
- 晶圆大小可以快速改变
- 原位室清洁和终点
- 可易于维修性和低的所有权成本
概述
科斯国®ICP蚀刻源以高密度和低压产生反应性物种。配备在系统中的RF发生器独立地控制基板DC偏置，从而使得能够基于处理要求来控制离子能量。
图片信用：牛津仪器等离子技术