PICOSUN®Sprinter快速批次ALD模块

的PICOSUN^®Sprinter ALD系统旨在中断半导体(例如，电容器、晶体管和新兴存储器)、显示器和物联网组件行业300mm晶圆生产线上的批量ALD生产。

在PICOSUN^®短跑ALD系统，高k在大规模生产中，用完美的ALD沉积氧化层、阻挡层和其他薄膜。

的PICOSUN^®Sprinter是完全自动化的，符合SEMI S2/S8标准。它集成了领先的单片薄膜均匀性和质量，具有高吞吐量，快速的处理，和不妥协的可靠性*。

技术特点和性能数据

承印物尺寸及类型

• 用于高通量ALD的批量300mm晶片
• 允许双面涂层
• 样品的高纵横比高达1:25 500

加工温度

• 范围可达400°C

PicoOS™操作系统/过程控制软件的主要特点

• Picosun自己的，专有的，半兼容的调度程序
• 要控制的单一公共接口整个集群
• 每20毫秒记录一次数据
• 可以方便地导出趋势数据
• 改进的恢复功能
• 为MFMs和mfc提供基于ethercat的通信
• 整个集群的公共事件日志
• 菜谱可以在系统操作时的任何时间创建或编辑
• 可自由扩展和配置的配方编辑器，没有固定数量的步骤和循环
• 不同级别的用户有不同的访问权限

图片来源:Picosun

前体

• 固体、液体、气体和臭氧
• 前驱体容器可用液位传感器
• 自燃前体恒速分配器可作为一种选择(提供多达四种工具)

* PICOSUN^®Sprinter ALD批处理数据在300毫米硅晶圆，铝₂O_3.流程为例(更多数据可按需提供):

来源:Picosun

参数	价值
薄膜厚度1σ非均匀性，晶片内@ 200°C	< 0.5%
薄膜厚度1σ非均匀性，晶片到晶片@ 200°C	< 0.5%
薄膜厚度1σ不均匀性，批次对批次@ 275°C	< 0.3%
薄膜厚度1σ不均匀性，芯片到芯片@ 275°C	< 1.0%
铬，铁，镍污染	< 1 * 1010在/厘米2
在Al-etch A型溶液中，在50°C下的湿腐蚀速率	~ 2 nm/min @ T部≥300°C

与通常用于批量ALD处理的立式炉式反应器相比，PICOSUN^®Sprinter ALD系统提供更高的薄膜质量和更低的热预算，使它非常适合温度敏感的设备。

的PICOSUN^®与立式炉相比，Sprinter ALD系统还集成了极快的加工时间和更小的批量尺寸。这使得生产更加灵活，也在不影响产量的情况下降低了风险。

PICOSUN的核心^®Sprinter ALD系统是破坏发展的反应室，其中完全层流前驱体流动保证理想的ALD沉积，没有任何寄生CVD生长。这减少了对系统维护的需求。

的PICOSUN^®Sprinter ALD模块可以并入生产线或客户集群。它也非常适合单个晶圆生产线，因为它不会中断工艺流程。Sprinter系统使用Picosun最新的专有PicoOS™操作系统和过程控制软件运行。

的PICOSUN^®Sprinter是在芬兰使用欧洲真空机器人和工艺模块制造的。