ToF-qSIMS工作站:将飞行时间和四极杆分析仪结合在一个单一的SIMS仪器中

Hiden Analytical的ToF-qSIMS工作站独特地将四极杆和飞行时间分析仪集成在一个单一的SIMS仪器中。

表面是材料与周围环境相互作用的地方，允许发生污染、腐蚀、沉积和欧洲杯足球竞彩粘附。ToF-qSIMS是定义和解决该地区此类问题的工具。

ToF分析仪具有高质量分辨率和高质量范围，使静态SIMS模式能够检测物质暴露表面上的物种，特别是有机物。该分析仪被设计用于检测薄如单个原子的表面污染;例如，涂层脱落或粘合剂粘结失败等污染可能会影响产品的操作。

只需一次扫描，ToF-qSIMS就能从一个表面生成所有分子和元素的图像(每个像素的全质谱)，使研究人员能够实时或可能在获取后数年检查化学分布。

ToF-qSIMS四极杆分析仪用于纳米级精度的高灵敏度“深度”测量，如确定半导体材料或硬工程应用中的层结构或扩散。欧洲杯足球竞彩

该分析仪可以检测从氢到铀的所有元素，并以3D形式成像它们的分布，从而提供了一种高度可靠的技术来确定材料的顶部微米。

配备了高度可靠的Hiden IG20气体离子源和自动化设置，ToF-qSIMS工作站可以很容易地在生产环境中使用，并允许科学家享受这个多用途工具的最新设置。

SIMS广泛应用于涂料、航空航天、光伏、半导体、玻璃和制药行业，以及冶金、一般材料和腐蚀分析。欧洲杯足球竞彩

关键特性

• 飞行时间分析仪提供平行检测的二次离子物种的极端表面特定的测量
• 高质量分辨率(>1500 M/∆M)和高质量范围(高达10 kg)的组合有助于收集特征指纹光谱，明确识别污染物、催化剂、药物和聚合物
• X Quad SIMS允许高动态范围和超高分辨率的深度剖面，两者都改进了动态SIMS
• X高光谱成像是图像中每个像素的质谱，可以在数据采集后的任何时间对样本进行交互分析

飞行时间完美的静态SIMS分析

样品最初被低剂量的初级离子(低于10¹²离子每厘米²被认为是静态SIMS的最高剂量限值)，导致顶部单层的发射。

低剂量意味着分离的原始离子既会影响原始区域，又会溅射出巨大的特征碎片，用于探测材料。ToF-qSIMS工作站的并行检测能力允许在超过静态极限之前收集整个光谱，而高质量的灵敏度提供了富含高质量碎片的光谱。

同位素检测和特殊的质量分辨率使明确的检测这类物种。

保留了经过验证的MAXIM四极子分析仪，ToF- qsims在高深度分辨率、高灵敏度的深度剖面方面具有不受限制的性能——采用四极子或ToF检测的深度剖面。MCs⁺砷化镓半导体中Zn注入的分析。图片来源:Hiden Analytical

质量分辨率通常为M/∆M 1500。很容易分开²⁸Si (27.977u) from C₂H₄(28.031 u)。图片来源:Hiden Analytical

剃须刀片(视野2毫米²）．³¹从润滑CF。图片来源:Hiden Analytical

剃须刀片(视野2毫米²）．²³钠来自热处理。图片来源:Hiden Analytical

剃须刀片(视野2毫米²）．⁹⁴切削刃上的Pt防腐蚀。图片来源:Hiden Analytical

枪弹残留物-镧系物质和铅从弹壳底火是同位素检测纸放置在放电火器附近。图片来源:Hiden Analytical