THIA：研发尺度晶圆涂层系统

来自Forge Nano的IRIA集成了公司的商业解决方案Apollo的生产证明系统组件和设计，可在R＆D封装中提供无与伦比的灵活性，性能，安全性和可靠性。

Theia是现场升级的，因此可以迎合工程师和科学家的不断变化的要求。AIRA允许从研发到生产的平滑过渡。可以将使用AIRIA产生的食谱送至Apollo，以实现商业规模生产的简单直接路径。

主要特征

• 超快沉积120-300Å/分钟
• 可扩展和现场升级
• 批次和晶圆之间的1％均匀性
• 专有阀的速度为<1毫秒和循环寿命为1亿
• 维护在50-PM间隔进行

应用程序

• ald前体的发展
• 环境障碍涂料
• 粘附和界面层
• 防腐蚀保护
• 耐磨涂层
• 区域选择性化学发展

Forge Nano在全球范围内提供了新一代先进技术的攻击。Theia包括来自公司的美国科学家和工程师的专用团队，包括班级维护和世界级服务。

基本规格和配置

表现

TheIa提供由Forge Nano专利的SMFD-ALD™提供的超快沉积，以经济高效的研发预算系统。子第二ALD循环时间使得能够快速有效地探索需要厚膜的应用。

该系统涵盖困难的图案化基板，如先进的DRAM器件晶片，传感器，膜，电子乘法器等，具有高达1,000的宽高比。

能力

Theia最适合探索新开发的ALD前体。在初始阶段，ALD前体通常非常昂贵（1,000美元/克是非常常见的），并且仅以少量提供。

客户还受益于几种成熟的高生产率ALD过程，包括TA₂O._5.，hfo.₂，SiO.₂，zro₂，NB._3.N_5.<300°C TiN，GaN，BN等等，促成纳米作为转动键工艺提供。

配置

Theia采用三个晶片尺寸配置（范围为75至300 mm），以及一般部件的第四种配置和/或测量高达300 x 300 x 10 mm的面板。可以使用灵活的现场升级选项来改造字段中的所有配置。

设计

TheIA具有Forge Nano的毫秒响应ALD歧管，其将其专利的快速气动阀（FPV）的10个相结合，提供了超过1亿的无故障纳米胺和复合ALD薄膜的无故障循环。

这个ALD歧管是唯一一个可以在没有任何吞吐量惩罚的情况下转换构图的唯一一个。Forge Nano的阀门是自2005年以来的现场证实，并为寿命，速度，安全性和可靠性设定了记录，同时在高达220°C的高温下运行。来自Forge Nano的ALD阀门是市场上唯一的溢出，双重包含的UHP阀门。

可选功能

原位QCM以毫秒的时间分辨率监测高于5％的ald工艺。它用于精心制造的机械研究，优化ALD工艺，前体和动力学的稳定性。此外，对于表面清洁方法，脱氯，致密化，前体升华，还原，氮化，退火，氧化，硅化物形成等非常有用。