PlasmaPro100PECVD系统自牛津仪器专为制作高质量电影设计,展示出优秀一致性并控制胶片特性,如湿化延速率、折射索引、压力和电学特征
高级Plasma增强CVD系统是静电薄膜理想化(例如SixNy和SiO2非态硅化物、硅化碳化物、硬膜沉降法和反反射涂层
- 高质量电影、高吞吐量和杰出一致性
- 高密度等离子体和低压沉降
- 兼容长达200毫米
- 原位机房清洗和端定
- 简单易用和低成本所有
- 遗留反射索引和压力控件
- 条形间快速修改
- 抗热电极容量从400摄氏度到1200摄氏度不等
概述
PlasmaPro100PECVD提供杰出低粒子生成和相容沉降,这是电极电温一致性和阵头设计的结果,从而使RF能生成等离子体
高能反应式等离子体提供高沉积率,以获取优选基底厚度,同时保留低压其双频13.56MHz和100KHz电源用于上层电极允许薄膜密度控制
特征学
- 高泵容量提供大过程压窗
- 向基底交付活性物种并统一高传路穿过机房,使高气流在保留低压的同时使用
- RF-RF驱动阵列提供甚至等离子处理LF/RF切换,使胶片压力得到精确控制
应用
- 高质二元二元和二元二元
- 非定型硅和聚西
- 硅碳化
- 硬掩码沉积和缓存可高清晰度LED制作
高率SiO2PEPVD图像感想:牛津仪器等离子技术
高率SiO2PEPVD图像感想:牛津仪器等离子技术
规范化
- 可编组最多四个进程模块
- 抗热电极:范围可达400摄氏度或1200摄氏度
- 预发件人交付选项
- 液态或固态先质可用
- 载波毒气辅助程序 蒸发画或冒泡模式
- 可加热70摄氏度
- 使用所有重要前体供应商标准罐
图像感想:牛津工具-Plasma技术