Jan Evans-Freeman教授

电子设备与材料中心主任欧洲杯足球竞彩

meri材欧洲杯足球竞彩料与工程研究所

欧洲杯足球竞彩材料与工程研究所
谢菲尔德哈勒姆大学城市校区
谢菲尔德
S1 1白平衡
联合王国
PH值:44 (114) 2254037
电子邮件:(电子邮件保护)

背景

我的研究主要集中在半导体杂质和缺陷的电学和光学性质，主要但不完全是第四组，识别半导体器件运行中的缺陷的意义。这些研究是为了支持电子设备的发展。我使用了深能级瞬变光谱(DLTS)的电特性技术，以及高分辨率的拉普拉斯DLTS，以及光致发光、电子显微镜，我与理论家们密切合作，研究一系列缺陷问题。

我对由于设备或材料加工而产生的缺陷特别感兴趣。最近的出版物包括离子注入对硅的损伤，硅中的H和硅中的位错。我目前正在研究如何防止IC加工中增强硼扩散的机制，以及位错与轻元素的相互作用如何导致晶片硬化，以及超浅结高剂量离子植入后MOS晶体管p井中出现的缺陷。自从我搬到谢菲尔德哈勒姆大学后，我的兴趣扩展到了半导体金刚石和GaN的缺陷。在GaN中迫切需要了解Mg的电效应，Mg是一个很有前途的受体，但了解很少。在所有这些领域，我都与英国和欧洲的工业界密切合作，研究与技术相关的缺陷问题;我们在MERI的研究将使他们能够更好地理解缺陷对设备性能的影响，并能够将其与加工流程联系起来。

我还在硅中的稀土作为光源方面进行了广泛的研究，目前正在扩展到第四组半导体中可见光发射器的纳米团簇敏化发射。

主要出版物

  1. “高分辨率深能级瞬态光谱技术应用于硅的扩展缺陷”，J H Evans-Freeman, D Emiroglu, K D Vernon-Parry, J D Murphy, P R Wilshaw, J Phys:Condensed Matter, 17, S2219， (2005)
  2. “离子注入硅中富空穴和富间隙区的高分辨率电学研究”，N abdelgder和J H Evans-Freeman, J applied Phys, 93, pp 5118 - 5124 (2003)
  3. “Si/SiGe/Si量子阱的高分辨率少子载流子瞬态光谱”，M A Gad和J H Evans-Freeman, J applied Phys 92 5252 (2002)
  4. 离子注入硅中空穴氧及相关缺陷的高分辨率深能级瞬态光谱研究
  5. 高分辨率深能级瞬态光谱学和过程诱导的硅缺陷，J H evan - freeman, D Emiroglu, K D Vernon-Parry, Mat Sci Eng B, 114, 307-311 (2004)

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