宽带隙功率半导体器件制造

可再生能源的日益普及和电动汽车前景的日益广阔,推动了对功率半导体元件的需求。器件技术主要基于硅,但GaN和SiC等宽带隙材料可以提高效率并减少功率器件的能量损失。欧洲杯足球竞彩

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