2007年9月25日
同时技术公司。高兴地宣布,截至2007年9月20日MRAM晶片在生产在全球通信半导体有限公司(GCS)铸造。2007年9月17日的战略解决方案,设计合作伙伴的同时,公布了批准标线设计铸造。标线的设计包含了一个广泛的矩阵的测试执行Micromem MRAM钻头结构,因为它是通过铸造加工的。2007年10月29日分划板的测试矩阵将产生有价值的信息的MRAM可伸缩性、功耗、读取写入速度和相声分离。同时还计划额外辐射硬化测试,验证和补充类似的测试之前沟通在我们5月24日,2007年。
Steven Van舰队,同时铸造阶段的项目主任说“整个团队、战略解决方案,GCS和Micromem非常满意铸造计划,时间表和分划板的测试计划。砷化镓(砷化镓)被证明是一个明智的选择对于我们的目标应用程序。砷化镓硅有两个明显的优势:速度和力量。同样的功耗,砷化镓电路是更快,以同样的速度,在砷化镓功率电路通常是低的。这是我们的目标市场的关键。”
“军事应用感兴趣的列表联合开发合作伙伴。现代战争的士兵有很多设备需要沉重的电池。如果Micromem MRAM需要低功耗,这意味着较低的电池重量,这对我们将是一个巨大的市场机遇”范舰队继续说。该公司预计会议更低的功率要求。
“我们正在与卫星相似需求的公司,尤其是相控阵卫星。这些满足llites需要基于阵列校准记忆需要靠近卫星和安置在金属屏蔽盒不像硅基的记忆。我们仍然鼓励,MRAM rad硬度将生存硅内存性能仍然是挑战“铸造时间表是咄咄逼人。我们将完成第一阶段2008年1月初铸造。2007年10月29日之后我们应该第一组可用的测试数据。一旦我们达到我们的预期目标我们将开始执行特定于应用程序的开发计划为军事和其他利基应用设备,将受益于我们的MRAM记忆。我们希望在11月初开始与这些发展伙伴合作,同时将能够迅速从第一阶段测试阶段过渡到多个和并行产品开发。
“我非常自豪我们的团队已经能够完成,特别是砷化镓选择了真正的远见。Micromem终于到达了一个阶段,经过十年的努力工作,奉献和努力开始偿还,这是一个真正令人兴奋的同时,”Joseph Fuda说。