2008年1月30日
SemiSouth实验室有限公司基于碳化硅(SiC)的领先供应商的半导体技术,今天宣布授予其第十和第十一项美国专利。进一步巩固其领导地位,SemiSouth现在拥有或独占许可证共有11个奖项碳化硅电力电子领域的专利。
两项新专利奖,7294860 -“单片垂直结型场效应晶体管和从碳化硅肖特基势垒二极管捏造和制作方法相同的“和7274083 -“半导体器件w /浪涌电流保护&生产”的方法覆盖关键电源管理等主题JFET的集成二极管电路,和过程设计SiC JFET力量。最近的专利是集中努力的结果,Igor Sankin博士和迈克Mazzola博士的带领下,在推动技术发展的短期和长期的产品。
碳化硅是一个新兴的半导体技术被证明能减少能量损失,使电力转换和电源管理节能运行的应用程序。SiC技术的商业利益是能够使电源,电机驱动器和逆变器更节能,运行冷却器和身体较小的大小。
“除了减少能量损失,客户提供的能力消除或大大减少冷却需求,节省额外的能量,成本和复杂性,”博士说戴夫•谢里丹SemiSouth工程总监。
主要市场SemiSouth服务包括太阳能、计算、电机驱动、汽车和mil-aerospace应用程序。SemiSouth的SiC JFET替代硅mosfet、igbt,或者是可以消除超过50%的能量损失功率转换器应用于这些行业。在汽车行业,SiC jfet有望彻底改变混合动力电动汽车的设计,从而使他们更多的燃油效率和为消费者负担得起的。
“我们的资质的合作伙伴提供了非常积极的反馈对我们的坚固,可靠,和非常有效的SiC JFET力量,”杰夫Casady博士说,SemiSouth首席运营官。”这种技术在当今能源意识的世界,为我们和我们的客户提供了一个非常令人兴奋的商机。”