研究人员美国国家标准与技术研究所已经为在今天由半导体化合物制成的微电子与未来主要由复杂有机分子制成的器件之间建立“进化联系”奠定了基础。
NIST分子电阻的侧面和顶部视图。上面的示意图显示了整个器件的横截面和附在cmos兼容硅衬底上的分子单层的近距离视图。下面是一张显微照片，它俯视着一个组装好的电阻器，指示着井的位置。
在即将发表在《美国化学学会杂志》(Journal of the American Chemical Society)上的一篇论文中，一个NIST团队展示了一层有机分子可以在传统微芯片中使用的同一种基板上组装。
能够使用的硅晶体衬底上,兼容行业标准的CMOS(互补金属氧化物半导体)制造技术为混合CMOS-molecular铺平了道路设备电路¡ª¡°超出必要先导CMOS¡±完全分子技术¡ª捏造在不久的将来。
科学家们根据晶体暴露出来的特定平面或“表面”对晶体结构进行分类。到目前为止，在分子电子器件硅衬底上的大多数研究都是采用晶体取向，这种取向有利于有机分子，但与CMOS技术不兼容。对于他们的电子设备，NIST团队首先证明了一种高质量的有机分子单层可以在工业CMOS制造中常见的硅定向上组装，并通过广泛的光谱分析证实了这一点。
他们接着用同样的技术制造了一种简单但有效的分子电子器件——电阻器。一层简单的碳原子链末端与硫原子相连，在硅衬底上的100纳米深井中沉积，并在顶部覆盖一层银，形成顶部电接触。银的使用不同于其他使用金或铝的分子电子研究。与后两种元素不同，银不会取代单分子层或阻碍其功能。
NIST团队制造了两种分子电子器件，每一种都有不同长度的碳链填充在单分子层上。这两种装置都成功地抵抗了电流，正如预期的那样，具有更长的链条和更大的电阻的装置。一个没有单分子层的控制装置显示出更小的电阻，证明其他两个单元确实起到非线性电阻的作用。
研究小组报告说，下一步是制造一种cmos -分子混合电路，以证明分子电子元件可以与目前的微电子技术协调工作。
2008年3月19日公布