LayTec原位开辟新的应用领域的传感器

LayTec正在扩大的应用新领域的传感器,其中一个是增长硅的氧化物。合作从Namlab Lutz Geelhaar博士在德累斯顿(德国)-奇梦达和TU德累斯顿的合资企业取得了第一个有前途的现场测量结果。史蒂芬博士从LayTec Uredat SVC的方法将会议4月在芝加哥(美国)。

在这工作LayTec将演示如何在优化紫外波长反射率测量可用于监测极薄的沉积ZrO₂和艾尔₂O₃层(30)在MBE硅。该方法的准确性被证明是2.5±50 ZrO₂层。图1显示了反射信号波长的300和405 nm作为ZrO测量在115年的沉积₂如果,以前涂布46锡。反射率随增加氧化层的厚度。超薄层,300 nm信号层厚度的变化最敏感。

然而,当厚层生长,300 nm信号通过一个法布里-珀罗最低。在这种情况下LayTec doublewavelength设置提供第二波长来缩小这个差距。在氧化物的情况下,额外的405 nm反射允许测量的有效范围扩大到所有典型厚度30和500之间。

如果折射率和氧化层的吸收系数是众所周知的,层厚度可以直接从测量反射率计算。图2显示了一个115层的厚度的变化ZrO₂作为从300 nm反射率测量获得,露出一个相当线性增长的增长率为0.085 / s,作为直图中红线所示。

增长率的研究之外,长波长的反射率测量被用来确定基于双波长带边沿的晶片温度的方法。这是发现在氧化物生长晶片体验20°C之间的温度偏移过程温度、晶片表面温度,这是由于加热效果MBE热来源。

这项工作开辟了新的应用领域LayTec工具不仅还在溅射和其他MBE薄膜技术。