在众多申请的优秀稿件中LayTec第一个原位监测奖，一个独立委员会认可了Henning Döscher在原位定量Si(100)上生长的GaP薄膜的表面畴结构方面的贡献。这项工作是Henning Döscher和Thomas Hannappel (helmholtz柏林材料和能源中心，德国)与Bernardette Kunert, Kerstin Volz和Wolfgang Stolz(菲利普斯大学马欧洲杯足球竞彩尔堡，德国)密切合作的结果。
在MOCVD反应器中GaP(100)表面的RAS光谱。在785 K无TBP供应的情况下，从富p端氢(2x1)(蓝色曲线)到富ga的(2x4)混合二聚体表面重建(红色)的持续变化的时间发展。
LayTec总裁Thomas Zettler于6月5日在法国梅茨举行的ICMOVPE 2008大会上颁发了该奖项以及1000欧元的支票。我们祝贺Döscher先生和他的同事们取得的成功!委员会认为Döscher先生的演讲是基础研究领域的开创性工作，将对未来用于CMOS代和太阳能电池的Si基板上的III-V半导体的发展产生深远的影响。该团队解决的关键问题是在Si(100)上iii - v外延过程中反相畴(apd)密度的定量原位测量。原位RAS峰强度分析用于定量测量生长在Si(100)衬底上的GaP(100)薄膜的APD浓度(图)。
在这项研究中，研究团队建立了在MOCVD生长条件下RAS“指纹”与相应的表面重建域之间的相关性。在Si(100)上生长标准(富p) GaP时，在3.4 eV处的峰值强度(图2)与apd的密度直接相关。p端接表面的最大RAS振幅相当于100%的单畴GaP表面。p端接表面的RAS值为0，两种表面域均为50:50%分布。这些结果提供了关于GaP外延之前Si(100)表面重建畴比的信息，因为Si衬底的原子结构是检测到的反相紊乱的主要来源。其他被提名的演讲将在即将出版的时事通讯中进行总结。