IBM世界上最小的SRAM记忆单元铺平了芯片制造中的下两代

IBM及其联合开发伙伴 - AMD，Freescale，Stmicroelectronics，T​​oshiba和Nansoscale Science and Engineering学院（CNSE） - 今天宣布了第22纳米（欧洲杯线上买球NM）技术节点的首个工作静态随机访问记忆（SRAM），世界上首次报道的工作单元在其在纽约州奥尔巴尼的300毫米研究机构建造。

SRAM芯片是更复杂的设备（例如微处理器）的前体。

SRAM单元使用常规的六轨设计，面积为0.1UM2，破坏了先前的SRAM缩放屏障。

研究人员在纽约州立大学奥尔巴尼大学的CNSE实现了这一突破。CNSE的奥尔巴尼纳米技术是世界上最先进的纳米电子研究综合体。IBM及其合作伙伴在CNSE进行了许多领先的半导体研究。

纳米分数是百亿分之十，是人头发宽度的大约80,000倍。

T.C.博士说：“我们正在尽可能的最终边缘工作 - 朝着先进的下一代半导体技术发展。”IBM Research科学技术副总裁Chen。欧洲杯线上买球“这一新发展是追求不断推动微电子小型化的追求的关键成就。”

22 nm在芯片制造中是两代人。下一代是32 nm- IBM及其合作伙伴正在开发其领先的32 nm高K金属门技术，而其他公司或财团都无法匹配。

传统上，通过缩小其基本的构建块，通常称为单元格，使SRAM芯片变得更加密集。IBM Alliance研究人员优化了SRAM细胞设计和电路布局以提高稳定性，并开发了几种新型的制造过程，以使新的SRAM细胞成为可能。研究人员利用高NA浸入光刻来打印侵略性的图案尺寸和密度，并在其最先进的300mm半导体研究环境中制造了部分。

SRAM细胞大小是半导体行业的关键技术指标，这项工作证明了IBM及其合作伙伴在尖端过程技术方面的持续领导。

SRAM电池的关键推动器包括带边缘高k金属栅极堆栈，晶体管的晶体管小于25 nm，较薄的垫片，新型的同植物，高级激活技术，极其稀薄的硅质和达马斯纳铜接触。

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