2004年5月6日
晶体宣布他们已经获得了一年的延期和75万美元的资金支持美国国防部高级研究计划局他们的半导体紫外光光源(SUVOS)和射频/微波/毫米波技术。
Crystal-IS将致力于改善其超低位错密度天然氮化铝(AlN)衬底的质量。这些技术有可能在诸如大功率射频晶体管和高效紫外发射器等具有国家战略利益的多重iii -氮化物器件技术方面取得关键进展。这种装置具有军事和商业双重意义。
与其他竞争材料相比，AlN基板具有以下潜在优势:欧洲杯足球竞彩
- 提高设备性能和可靠性
- 客户指定的方向，如a面、m面和c面
- 极低的位错密度(<1000 / cm2导致更大的设备产量和可靠性
- 优异的热膨胀匹配iii -氮化物器件结构
- 同晶和晶格与iii -氮化物器件结构相匹配
- 明确的劈理面
- 高导热系数
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2004年5月4日,