2004年5月12日
Semisouth实验室宣布他们已经从导弹防御局(MDA)和国防高级研究计划局(DARPA)赢得了4份开发碳化硅技术的合同。合同总价值超过130万美元。
第一份合同由美国国防部高级研究计划局(DARPA)赞助，由赖特·帕特森空军基地(Wright Patterson Air Force Base)监督，涉及到用于非常高电压产品的硅碳厚外延层的开发。其目标是生产大于50微米的外延层，这将开辟诸如能够处理超过5kV的单二极管/晶体管产品等应用领域。
MDA赞助的其他合同也由Wright Patterson空军基地中心监督，主要围绕用于雷达和空间应用集成电路的碳化硅射频晶体管(mesfet和sit)的开发。这项工作将包括实施新的制造技术，以提高性能，并为碳化硅电路开辟一类新的应用领域。
有关碳化硅,点击在这里．