2004年6月9日
Nantero公司。今天宣布，该公司正在与LSI Logic公司合作开发半导体工艺技术，加快碳纳米管在CMOS制造中的有效利用。
联合开发项目在LSI Logic的Gresham(俄勒冈州)制造园区进行，该园区能够进行65纳米节点的工艺研发。
碳纳米管的高导电性、热导电性和抗拉强度使其在电子器件应用中具有很高的吸引力。通过将这些特性整合到现有的半导体产品中，以及在下一代产品的开发中，这些特性使性能突破成为可能。
Nantero的联合创始人兼首席执行官Greg Schmergel表示:“LSI Logic拥有加速CMOS中碳纳米管开发的所有必要要素:高度重视创新、高素质的工程团队和世界级的晶厂。”“所有这些因素使LSI Logic成为我们在开发Nantero的碳纳米管技术用于大批量生产方面的理想合作伙伴。”
Nantero使用碳纳米管的专有工艺与cmos兼容，目前正在LSI Logic的Gresham半导体制造园区进行开发。该LSI逻辑工厂被《半导体国际》杂志评为2002年度最佳工厂。
LSI Logic Wafer process R&D副总裁Richard Schinella表示:“LSI Logic已经并将继续专注于工艺技术研发，以解决与低k电介质相关的技术挑战。“通过与Nantero的合作，LSI Logic将其硅集成技术应用于实现碳纳米管在先进CMOS制造中的潜力。”
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