2009年1月19日
暴露在晶片制造过程中硅片曝光需要特别装置称为轻叩。小说静电抛掷玻璃做的陶瓷非常平坦。这可以防止结构扭曲的面具,硅片的敞口。
更小,更小,很小。微型化芯片制造的发展速度令人印象深刻。研究人员继续推动半导体技术和正在开发的物理限制的方法使电路元素更小更快。与此同时,相关的流程是必须满足越来越高的要求。
专家预测未来前途的EUV光刻-与极短波紫外线光刻技术。这是如下:13纳米波长的光引导通过反射罩到硅片上,生成纳米结构。曝光过程发生在一个真空,特殊设备接触是必要的,以适应硅片和面具,并坚定地持有。这些是放弃的技术术语。
研究人员弗劳恩霍夫应用光学与精密工程研究所智能油田开发了非常精确的静电抛掷EUV光刻。“轻叩需要非常光滑,甚至,“弗劳恩霍夫油田科学家Gerhard Kalkowski博士说。“如果他们不是super-flat,结果是高度偏差的面具,导致结构扭曲在硅芯片上。“智能油田研究人员使用特殊玻璃材料和开发新技术增加抛掷的水平度,用优秀的结果:在高度偏差超过欧洲杯足球竞彩100纳米测量之前,新材料降低了他们74纳米,创造一个新的纪录。查克和面具几乎合并成一个单一的平面。智能油田抛掷还有其他优势:“材料保证高控股优势,分布在整个表面,并减少磨损,“Kalkowski说。两个属性的重视EUV接触过程。
研究者的研究成果将大大受益芯片行业,芯片制造商特别依赖的稳定性和精度抛掷为了能够使用EUV光刻技术在大规模生产。与此同时,智能油田研究人员正在致力于他们的下一个目标:比50纳米奉承。