IMEC低功耗数字45纳米CMOS 60 ghz的解决方案

在这周的国际固态电路会议,IMEC了60 ghz前端接收链,锁相环和功率放大器在45纳米数字CMOS技术。这些构建块铺平了道路到2010年第二代60 ghz收音机将仅仅依靠普通CMOS,真正的单芯片的解决方案。IMEC还演示了multi-gigabit每秒60 ghz无线通信的模块集成IMEC专有天线和天线接口45 nm制程的多个天线射频前端芯片。

IMEC正在开发单片机60 ghz收音机使用先进的数字CMOS技术。射频部分优化芯片技术扩展的速度优势。45纳米数字CMOS还允许实现高速度、低功耗和低地区的数字部分。通过开发波束形成解决方案与相控天线阵的方法,IMEC克服了低信噪比性能通常60 ghz硅的收音机受到影响。

在globalfoundries,第一次重大突破是实现数控57 - 66 ghz接收机射频前端在45纳米数字CMOS噪声图只有6 db。只有150的小面积x150µm(平方),其低功耗的19马在1.1 v电源电压,和全数字控制使它非常适合相控阵系统。

接下来,IMEC提出了一个完全集成的57 - 66 ghz锁相环(PLL)。

锁相环,优于所有先前设计调谐范围而言,是第一个提供正交输出阶段mm-wave频率,这样它可以方便地用于一个0,如果架构。电路仅消耗78兆瓦在1.1 v电源电压。

“基于提出的结果我们可以实现未压缩的高清晰度视频分布与16个天线路径在10米范围内只有1.6 w的功率消耗完成接收机”鲁迪Lauwereins说,副总统在IMEC智能系统技术办公室。

最后,IMEC报告学界mm-wave功率放大器在45 nm制程与最先进的数字CMOS输出功率和足够的ESD保护。推挽式功率放大器的特性1 db压缩11点dbm 50至67 ghz 1.1 v电源电压。

“行业不愿意设计60 ghz电路由于与此相关的主要挑战mm-wave射频频谱的一部分。这些优秀的,第一次,60 ghz设计在45纳米CMOS IMEC的专业知识在60 ghz设计和潜在的设计方法;“鲁迪Lauwereins说。

“我们邀请行业加入60 ghz研究项目从IMEC从中受益的知识和先进的异构集成技术实现第二代真正的单片机2010年60 ghz无线解决方案。”

更重要的是,IMEC还集成了45 nm多个天线射频前端芯片一起IMEC专有使用PCB技术天线和天线接口。这个模块的性能已经证明在无线设置验证IMEC的IEEE15.3c兼容接收基带处理算法。