今天，IMEC.介绍了世界上第一个功能的22nm CMOS SRAM单元使用EUV光刻技术制造。所述0.099μm²SRAM细胞用的FinFET制成并具有使用ASML的全视场极紫外（EUV）阿尔法演示工具（ADT）两个接触和金属1层印刷。使用应用材料最先进的沉积系统作了超小的电路结构。尽管经济衰退 - - 250名专家代表其CMOS缩放程序IMEC的工业合作伙伴在IMEC的核心合作伙伴回顾一周，这是参加这些结果作了介绍。
新的录制细胞的密度为0.099μm²，与去年报告的0.186μm2的IMEC 32nm细胞相比，47％的面积缩放。对于前端终端的过程，IMEC使用了其高K /金属栅极FinFET平台。FINFET由HFO2作为电介质和锡作为金属栅极和用于源极/漏极的硅化物。最小有源翅片间距为90nm。使用ASML的1900i浸入光刻工具打印FinFET层。使用应用材料实现接触孔的金属化，用于层间屏障Ti和钨填充和化学机械抛光前的层间屏障Ti和锡。欧洲杯足球竞彩
与32nm电池相比，仅使用EUV工具打印接触孔，IMEC现在使用ASML的ADT与尺寸为〜45nm的触点和金属1层（60nm宽度和46nm空间）。结果显示出良好的覆盖性能。单图案化方法进一步加强了EUV作为经济效益的解决方案的情况。
吕克·范登绳拉，首席运营官IMEC：“我们的22nm SRAM单元的制造成功与EUV是一个重要的里程碑，无论是22纳米工艺的发展，并为EUV光刻的路线图。
这种SRAM细胞集成表明，EUV照片工艺技术是作为一种经济有效的单图案化方法的进步。我们认为EUV仍然是22nm技术后期使用的候选人。
Luc Van Den Hove进一步评论：“我们研究成功的关键是IMEC领先的工具供应商的存在，允许我们使用最先进的工具，我们的员工的协作研究以及IDMS，铸造件的现场居民，2020欧洲杯下注官网设备和材料供应商，以及EC计划Pullnano的支持和资金。通过这种协调一致的合作，半导体行业能够继续创新并遵循摩尔的势头。“
IMEC在其核心计划中，与未来CMOS技术的领先IC公司一起工作。2009年主要合作伙伴是英特尔，Micron，Panasonic，三星，TSMC，ELPIDA，海力士，PowerChip，英飞凌，恩智浦，Qualcomm，索尼，ST微电子。