Laytec很高兴宣布将Epicurvett系统出售给德国Braunschweig技术大学。该工具将由A. Hangleiter教授小组用于基于GAN的长波长发射器的研发，主要是绿色激光器和LED。
图1：由于含量增长而引起的晶圆弓工艺模型：组成诱导的晶格不匹配会导致晶圆弓和温度偏差。
Uwe Rossow博士将使用epicurve tt监测和了解基础覆层和波导层的应变效应以及放松过程，以及发射结构活性区域中的层。他的团队将氮化氮化物用作量子井。epicurve TT测量原位晶圆，温度和反射率，有助于控制应力，膜组成，表面粗糙度和晶圆温度。
图1显示了在gan缓冲液上生长紧张的Ingan时会发生什么：INGAN层的晶格常数大于下面的层，迫使整个堆栈弯曲。晶片变成凸，从而导致中间和结构边缘的温度偏差。图2是三元Ingan和Algan层生长过程中曲率测量的一个示例。两者都可以检测到膜组成和应变诱导的弛豫。
Uwe Rossow博士说：“在此过程中，Epicurvett已经通过Epicurvett进行了曲率和温度测量，将有助于我们控制放松过程，以实现更好的均匀性，重现生长条件并改善结构质量。”Laytec期待与Braunschweig大学成功合作！