2004年7月23日
按公司,今天宣布它已经被授予美国专利,6689220号和6756318年使纳米层沉积(NLD)的保形薄膜屏障,铜种子和high-k介质应用于先进的微处理器和内存设备生产。
描述的系统和方法在318年“220”使纳米层沉积与ultra-conformality可比的原子层沉积(ALD)和制造业的吞吐量更传统的化学汽相淀积(CVD)系统。民盟允许半导体制造商选择广角沉积的前体(ALD)的关键限制应用程序的任何表面薄膜在今天使用的晶片与原子层精度。民盟技术还可以用于构造复杂,复合膜结构的控制和保形性之前不可用或不切实际。
220专利涵盖了系统和过程将脉冲等离子体沉积技术适用于各种电影如氮化钛、铜和一些性能(介电常数)绝缘的电影。脉冲技术还可以用于沉积性能材料和“密封”现场为了保持电影的性能特性。这是一个主要限制成功实现介电材料在当前一代又一代的半导体材料的性能。欧洲杯足球竞彩
结合“318号专利系统设计、设计和民盟技术来源,使下一代半导体器件的生产解决方案。318公开了一种新的螺旋带状电极等离子体源用于一个民主联盟系统。建立在“318号专利技术披露的220专利和提供了一个multi-chamber平台进行各种各样的处理步骤如pre-clean、腐蚀,民盟,致密化,等等。因此,复杂的电影可以用完整的保形性和层沉积厚度可以控制一个单层或几个数百埃。
高保形沉积的市场工具,如ALD和民盟,是增长最快的一个领域的半导体器件制造空间。根据VLSI研究公司,当前市场的高度保形沉积工具超过1亿美元和年率将增长超过66%,达到13.5亿年的2008美元。“我们很高兴地把这两个关键专利按广泛基础的知识产权和技术,”Michael Parodi说按董事长,总裁和首席执行官。“这是最激动人心的地区之一,按曾经参与,我们期待着市场展示我们的民主联盟系统的优越性。”
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