2009年7月13日
材料系统(纳斯达克:NVLS)今天宣布开发出一种先进的空心阴极磁控管(HCM) IONX (TM) PVD铜种子的过程,将使铜互联低于2 xnm技术节点。的突破将使公司的高效和证明HCM PVD技术在INOVA平台上继续用于障碍和种子薄膜沉积,避免迁移到肾上腺白质退化症患者或CVD方法低效生产转移到高效生产和昂贵的。
在过去的十年里,PVD铜屏障/种子和铜电化学沉积一直占主导地位的技术用于构建逻辑器件。内存制造商现在过渡到铜互联,由于技术和成本的原因。就技术而言,较低的RC互连延迟获得当使用铜相当于速度更高的内存芯片。从成本的角度来看,铜DRAM和闪存设备比自铜铝同行可制造的波纹的流程需要更少的生产步骤,利用沉积设备更高的吞吐量。2020欧洲杯下注官网
通过的关键维度(CD)和槽结构与先进的技术节点,减少PVD沉积技术变得缺乏保形性的限制。铜种子需求通常要求至少100埃的膜厚度的减少电镀终端效应,以及> 20埃内的连续薄膜结构,以确保紧密的铜填充。与2 xnm设备已经限制CD顶部大约220埃,获得足够的步骤覆盖使用传统甚至电离PVD铜种子将是一个挑战。过度积压顶部的特性将导致减少开口的大小,也被称为“夹止,”。这在铜种子层收缩导致铜不足填补这些非常小的结构,导致排尿和设备可靠性差。延长PVD铜种子2 xnm节点除了需要一种新的方法,并不是受制于典型步骤覆盖性能。
与领先的逻辑和内存的客户合作,材料已经开发出创新的等离子体约束和聚焦磁学INOVA HCM溅射源,使同步控制的PVD过剩,一步覆盖面和自下而上的填补。通过匹配适当的平衡离子密度和离子能量,材料先进铜种子处理的政权运作结果在自底向上的功能填补和保形沉积。这种先进的铜种子的方法减少了使用比例,增加后续的进程窗口紧密的铜填充。肾上腺白质退化症患者或CVD种子和粘附层替代技术,如钴、增加这个使用铜填充长宽比和micro-voiding的倾向。添加附着层barrier-seed堆栈也导致线路电阻的增加,负面影响设备的速度。
”这一最新HCM的创新技术将延长PVD铜种子到22 nm节点,”博士说Wai-Fan瑶族,总经理为材料的集成金属业务单元。“我们先进铜种子提供了填补超薄功能的能力,从而增强设备可靠性,无需引入更复杂的和昂贵的CVD或退化过程生产序列。”