IMEC今天宣布，该公司将扩大其极紫外光光刻研究计划，推出一项平行的专用极紫外光光刻掩膜清洁研究计划。该项目将建立在IMEC和HamaTech APE GmbH + Co. KG之间的新合作基础上。HamaTech的MaskTrack Pro®掩膜处理系统被选为记录的清洁工具，将安装在IMEC的300mm洁净室，两家公司将在那里进行合作研究，以达到EUV光刻严格的掩膜完整性要求。
这种合作使IMEC能够为感兴趣的合作伙伴提供创新的掩模清洗技术，以开发记录工艺(PORs)，扩展他们的EUV光刻研究。
今天不同，在光学光刻使用的光掩模，EUV掩模将最有可能没有药膜使掩模粒子和有机污染敏感。因此，清洁EUV掩模接近点的曝光在晶圆厂降低了由于添加的颗粒或有机污染物生长的产量损失的风险的晶片。欧洲杯猜球平台
IMEC的掩膜清洗项目将开发用于EUV掩膜清洗的记录(PORs)工艺，该工艺能有效去除感兴趣的污染，但足够温和，可以反复使用，而不会减少掩膜寿命。对不影响正面的EUV网线背面清洗过程进行额外的调查和优化，作为整体掩膜清洗计划的一部分，有助于保持EUV扫描仪的覆盖性能符合规格
库尔特龙瑟，在IMEC项目总监先进的光刻说，“在过去的一年里，我们实现了对在定点曝光抗蚀剂对EUV但质朴的，无缺陷口罩重大进展，已成为推动EUV在越来越多的关注对试生产2010年因此，我们将用面膜清洁研究扩展我们的计划，为合作伙伴提供关于在EUV光刻的关键EUV掩模的相关问题一个先进的研究。在MaskTrack Pro和我们正在进行的与HamaTech团队确保合作研究工作，一个完整的面具完整的基础设施是供有兴趣的合作伙伴在IMEC的300mm研究机构于2009年年底前”的安装
MaskTrack Pro结合创新清洗技术和先进的系统设计面膜完整性的整体方法的MaskTrack工具的性能，专注于193I的22nm半间距双重图形，EUV和纳米压印光刻技术。该系统采用了聚焦点CleaningTM在面具的定义的区域精确去除颗粒，从而节省了时间显著修复后，消除造成背部污染最棘手的问题覆盖。欧洲杯猜球平台物理和化学清洁技术的独特的组合已经证明一个高度有效去除有机和无机污染的，但无脆弱吸收剂和覆盖层（SPIE，2009年3月）的损坏。MaskTrack Pro的整体办法来掩盖完整性确保光罩无缺陷的曝光，让客户在曝光工具的可用性和正常运行时间显着增加。
“我们很高兴合作与IMEC关键罩清洗技术的下一代光刻工艺，” HamaTech APE首席执行官威尔玛Koolen-Hermkens说。“该MaskTrack临，在同行业中，可以对曝光之前解决的面膜颗粒和缺陷EUVL零容忍水平的第一个系统。欧洲杯猜球平台拥有世界一流的设计，MaskTrack Pro允许计量系统和荚在-POD放养的集群在整个面具生活的整体面具的管理办法。IMEC是我们选择的合作伙伴，共同开发我们尊贵的客户必要的POR“。