IMEC在比赛中取得了有希望的成果，将CMOS扩展到22nm及以下。来自晶体管缩放程序的突破包括在高k /金属栅极第一工艺中的激光退火技术的成功集成，并且前进朝向制造积极缩放的锗-PFET晶体管。
是按比例的CMOS技术到22nm及以下，高介电常数的电介质和金属栅极（HK / MG）被认为是最好的选择之一。一个HK / MG整合方案是金属插入多晶硅（MIPS）。用mips.
对脉冲退火和激光退火的工艺流程进行了比较。IMEC首次展示了仅毫秒退火的功能环振荡器，其性能与使用尖峰退火的振荡器相似。
使用激光退火的主要优点是尖峰退火是减少的热预算。这限制了在其活化期间掺杂剂在SI中的扩散。这种有限的扩散有助于保持控制的短信效应，因为晶体管的物理尺寸收缩。但激光退火也是具有挑战性的。IMEC的结果指出了限制缺陷，保持低栅极电阻的过程的优化，并使用高k封端层显示出优异的有效工作功能控制。盖层是沉积在散装电介质和金属栅极之间的介电层，以将电极的有效功函数调谐到所需类型（N-或P-）。
另一个引起广泛关注的缩放选择是使用高迁移率材料来提高MOS晶体管的载流子迁移率，因为这可以导致更高的驱动电流。欧洲杯足球竞彩这一研究引起了人们对锗mosfet的兴趣:它已经证明可以用传统工艺制造锗pet器件，其空穴迁移率基本上高于硅的空穴迁移率曲线。IMEC的研究现在首次显示，STI模块(浅沟槽隔离)集成在先进的70nm ge - pet技术中，允许EOT反转比例缩小到0.85nm。IMEC还深入分析了限制亚纳米EOT Ge pFETs空穴迁移率的机理。这些结果为进一步优化Ge pet器件以及将其引入高端高性能集成电路铺平了道路。
这些结果是与IMEC核心项目的主要合作伙伴合作得出的:英特尔、美光、松下、三星、台积电、尔必达、海力士、力晶、英飞凌、恩智浦、高通、索尼、圣微电子。这项工作得到了欧洲合作项目的进一步支持，特别是DUALLOGIC。