康奈尔大学找到复杂氧化物替代硅绝缘体

时间快不多了半导体行业的晶体管变得越来越小,绝缘的二氧化硅层,已经只有原子厚度,达到最大收缩。此外,薄硅层变得越大,必须使用大量的化学掺杂物保持电接触。这里的限制也接近达成。

但是一个康奈尔大学研究造成的信息产业热点发现可以精确地控制一个复杂氧化物材料的电子性质——一个可能的替代硅绝缘体在原子水平。这可以不含化学成分。相反,掺杂剂正是一无所有。

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