摩根先进材料(MTC)欧洲杯足球竞彩公司介绍了其用于高温金属有机化学气相沉积(MOCVD)加工的化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)晶片载体。纯CVD SiC晶片载流子显著提高了使用氮化镓(GaN)沉积的高亮度发光二极管(led)制造商的收率。
CVD SiC的纯度为99.999+ %，具有较高的导热性和抗热震性能。它是一种固体整体材料，达到理论密度，产生最小的颗粒，并表现出非常高的耐腐蚀和侵蚀性能。这种材料可以在不引入金属杂质的情况下改变不透明度和导电性。晶圆载体的直径通常约为17英寸，可容纳40个2-4英寸的晶圆。
MTC纯CVD SiC晶片载体明显优于传统的GaN晶片载体，后者由石墨制成，然后涂覆一层CVD SiC。这些涂层石墨基载流子无法承受氮化镓沉积所需的高温(1100到1200°C)，用于今天的高亮度蓝白色led。高温会使涂层产生微小的针孔，化学物质通过针孔腐蚀底层的石墨。石墨颗粒会脱落并污染欧洲杯猜球平台氮化镓。根据使用情况，典型的涂覆石墨晶片载体可能需要每月更换一次。
纯CVD SiC晶片载体传热效率高，导热系数非常高。例如，CVD SiC的导热系数为250-300瓦特/米开尔文(W m-1 K-1)。相比之下，烧结SiC的导热系数约为100-140 W m-1 K-1，纯石墨的导热系数仅为85 W m-1 K-1。CVD SiC较高的热导率使得整个晶圆直径的温度均匀，改善了氮化镓的沉积过程，与涂覆石墨晶圆载体相比，显著提高了led目标波长的成品率。
除了使用纯CVD SiC晶片载体提高了LED产量外，纯单片SiC具有很长的使用寿命，抗翘曲，只需要在载体损坏、芯片损坏或搬运损坏时更换。这可以为半导体制造商节省实际成本。