2004年8月27日
Nano-Proprietary公司。通过其子公司,应用纳米技术公司(ANI)今天宣布,美国专利声称二维碳纳米结构(被ANI“碳片”)的优先日期8月21日,2000年,被美国专利局允许。这些二维碳纳米管的结构,也可以称为碳nanowalls,可能有吸引力的电子发射性能由于其锋利的边缘。这个新发现的大表面积碳阶段也可能使他们在化学和可以检测申请特别有用。Yihong吴教授在日本京都大学最近宣布,他已成功地和观察类似的二维纳米结构(被称为“碳nanowalls”)。
另外,ANI宣布美国专利号5869922声称对所有特殊的紫外拉曼光谱信号碳电影有优越的电子发射特性被授予422244年韩国专利号,生效日期为2004年2月22日。这种知识产权相关任何形式的碳膜的电子发射性能和某些紫外拉曼光谱测量。
紫外拉曼光谱分析可以执行非常少量的材料和专利签名可以立即识别。所有碳的电影,包括碳纳米管薄膜,利用ANI电子发射应用属于紫外拉曼光谱签名声称在上述专利。
“这些新的专利发展,结合我们现有的投资组合,进一步我们的主导地位的任何应用程序使用碳作为电子发射源,”博士说Zvi Yaniv,应用纳米技术公司的首席执行官。
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