写道氮杂2004年8月31日
通过开发下一代芯片制造技术的重要里程碑已经实现英特尔公司．该公司已经建立了全功能的70兆比特静电随机存取存储器（SRAM）芯片，使用全球最先进的65纳米（NM）工艺技术超过一亿晶体管。根据Moore的法律，成就扩展了英特尔每两年一次推动新制造工艺技术的发展。
新的65nm(一纳米是十亿分之一米)技术中的晶体管有35nm的门(开关晶体管的开关)，比以前的90nm技术的门长度小了大约30%。相比之下，大约100个这样的“门”可以容纳一个人类红细胞的直径。
新工艺技术增加了挤在单个芯片上的微小晶体管的数量，为英特尔提供了未来多核处理器的基础，并为未来产品设计创新功能，包括虚拟化和安全能力。英特尔新的65nm工艺技术还包括几个独特的节能和性能增强功能。
英特尔技术和制造集团高级副总裁孙林围说：“英特尔继续满足缩放的越来越多的挑战，”英特尔技术和制造集团高级副总裁副总经理Sunlin Chou说。欧洲杯足球竞彩“英特尔的65纳米工艺技术具有行业领先的密度，性能和功耗降低功能，可以实现未来的能力和性能。英特尔的65nm技术是在2005年交付的，以扩大摩尔定律的好处。”
2003年11月，英特尔宣布它使用了65纳米的进程来构建4兆比特SRAM。自那一来，该公司在这个过程中制造了全功能的70兆位SRAM，具有110 mm2的非常小的模具面积。小SRAM单元允许在处理器中集成更大的高速缓存，从而提高性能。每个SRAM存储器单元具有六个晶体管，该晶体管填充到0.57μm2的面积中。大约1000万这些晶体管可以配合在一个平方毫米中，大致占圆珠笔尖端的尺寸。
新的节能特性适用于65nm技术
根据摩尔定律，芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番，从而使每个晶体管的功能更多，性能更强，成本更低。随着晶体管变得越来越小，功率和散热问题也随之增加。因此，实现新的功能、技术和结构是继续这一进程的必要条件。英特尔通过将节能特性整合到65nm工艺技术中，解决了这些挑战。这些特性对于未来提供高效的计算和通信产品至关重要。
英特尔领先的应变硅技术，首先在其90nm工艺技术中实施，在65nm技术中进一步加强。第二代英特尔应变硅在不增加泄漏的情况下将晶体管性能提高了10%到15%。相反，与90nm晶体管相比，这些晶体管在恒定性能下可以减少泄漏4倍。因此，英特尔65nm工艺上的晶体管在没有显著增加泄漏的情况下改善了性能(更大的电流泄漏导致更大的热量产生)。
英特尔的65nm晶体管具有降低的栅极长度为35nm，栅极氧化物厚度为1.2nm，该栅极氧化物厚度为1.2nm，其组合以提供改进的性能和降低的栅极电容。降低的栅极电容最终降低了芯片的有功功率。新过程还集成了八个铜互连层，并使用“低k”介电材料，该介电材料增加了芯片内的信号速度并降低了芯片功耗。
英特尔还在其65nm SRAM中实现了“睡眠晶体管”。当SRAM不被使用时，休眠晶体管会关闭大容量SRAM的电流，这消除了芯片上的一个重要的功耗来源。这一功能对电池供电的设备尤其有益，比如笔记本电脑。
“英特尔一直在积极致力于半导体行业面临的权力和散热挑战，”ch ch说。“我们通过开发涉及系统，芯片和技术的解决方案进行了整体方法，包括我们的65nm技术的创新，超越简单地延长了现有技术。”
英特尔的65nm半导体器件是在公司的300mm开发的Fab（称为D1D）的矿石，矿石的300mm开发厂房。，该过程的开发方式。
有关的更多信息电脑芯片,点击这里．