2009年10月19日
Leti,全球领先的研究中心致力于创造和商业化创新微纳米技术,今天给出结果在鲁汶SOI行业协会研讨会,比利时,证明SOI-based平面CMOS满足低功耗的要求,22 nm节点设备,提供一个实际的路线进一步功能萎缩,使跳“绿色”产品。
与无与伦比的访问阻力和静电的特点,平面SOI优于其他技术基于CMOS技术和FinFET架构。它还显示了低功耗应用要求22纳米技术出色的表演,如消费电子设备包括4 g手机。
“许多晶体管架构提出了下面的22 nm节点。在Leti,我们喜欢平面技术更快和更容易过渡到制造业,“Leti首席执行官洛朗•马利说。“我们最近的研究结果证明这种方法的强度。连同最近的手臂结果表明功率降低45 nm制程技术,我们证明,SOI技术提供解决方案在各种各样的低功率节点,包括22纳米和下面。此外,我们证明了平面SOI大大提高了能源的许多产品,这将改变我们的生活,同时为许多企业提供长期成功参与这些快速增长的市场。”
此外,drain-induced屏障降低(DIBL)低于100 mv / V已经证明和SOI已经证明,使寄生减少静电。
虽然变化是需要解决的一个重大挑战的22纳米节点,Leti结果证明可变性控制是可能的与当今先进的SOI晶片。特别是,阈值电压变化是减少两倍与FinFET技术相比,在晶片和批处理水平。
Leti还显示,全耗尽SOI CMOS (FDSOI)可以按比例缩小到10 nm节点通过调优埋和氧化硅层厚度。显示结果表明,FDSOI方法还解决了可变性问题进一步缩小。