在国际会议上氮化硅半导体(icn) 10月18 - 23在韩国LayTec400年提出了其最新产品:烟花。与传统的红外测温,只能检测到基座表面温度在蓝宝石和碳化硅晶片,烟花400是第一个真正的解决方案测量氮化镓层的表面温度。该工具执行测温在400 nm。氮化镓发光波长和可以测量其温度。
烟花400行扫描测量8 x3”配置。假晶片与一个强大的凹鞠躬(# 2、3、5、7)有不同的温度曲线比GaN模板只是一个轻微的凹鞠躬(# 4、5、8)。蓝色背景是晶圆之间的差距。
博士在icn Kolja Haberland LayTec呈现的结果在氮化镓量子井结构包含多增长(发光)。图显示了一个典型的行扫描测量:烟花400监控晶片温度感受器的概要文件在一个完整的革命。氮化镓温度分布提供了直接访问的数据在每个晶片上planetry反应堆。一起互补的反射率和曲率数据衡量EpiCurve®,现场测量提供所有重要的信息需要优化均匀,性能。数据清楚地表明,晶片鞠躬引起温度分布的变化和证明凹向晶圆的中心是热。
Haberland博士也报道,甘的表面温度变化是敏感的载气,转速和反应堆压力。这些偏差不能被传统的红外测温的测量。另外这些优势,没有辐射振荡在GaN缓冲增长,这使得烟花400温度反馈控制应用程序的理想工具。总之,烟花400提供了一种新的温度测量质量无与伦比的精度和巨大的利益将基于氮化镓的领导和激光产品在不久的将来。我们的结果也在LayTec现场研讨会会同icn举行。您可以下载400烟花以及所有其他会谈举行的研讨会LayTec网站:www.laytec.de compounds-presentations.html