2010年2月9日
在今天的国际固态电路会议(globalfoundries),霍尔斯特中心imec和TNO dual-gate-based有机RFID芯片记录数据速率和最低工作电压。第一次,双栅晶体管的优点在电路速度和鲁棒性从而被利用在一个复杂的有机电子电路。
有机RFID标签的一个司机灵活的电子产品研究和开发。在前几年,霍尔斯特中心imec和TNO,已成功地报道先进的结果在重大会议,如globalfoundries和IEDM。64位的当前结果应答器电路在4.3 kb / s显示了一个改进的一个因素两个结果相比去年在globalfoundries报道。更重要的是,结果表明,芯片开始工作在低电压(降至10 v),使它们更适合电容和电感耦合读出装置。
提高性能背后的主要原因是使用双栅场效应晶体管技术,改编自rollable-display公司聚合物愿景,霍尔斯特中心研究项目的合作伙伴之一。使用一个双重门允许控制阈值电压(Vt),从而获得multiple-Vt技术导致更健壮的电路。
双栅有机TFT(薄膜晶体管)电路已报告过,但从未被超越基本的逆变器的复杂性。由于在混合电路设计人员和技术团队紧密协作开发者,霍尔斯特中心imec和TNO现在报告99 -阶段双栅环振荡器在各种拓扑结构,加上64位RFID应答器芯片使用相同的架构。
进一步的和正在进行的工作将演示对工业吸收技术的可行性。霍尔斯特因此收集主要工业中心球员从整个价值链围绕其共享研究路线图。工作是TNO之间密切合作的结果和imec团队在埃因霍温和鲁汶。