巴斯夫为当前和未来一代芯片技术创造了先进的铜电镀化学。这一创新的化学解决方案是2007年6月开始的与IBM的联合开发项目的直接成果，其性能优于其他商用化学品。
两家公司正在扩大为批量生产设定参数的合作。预计相关技术、化学物质、材料等将在2010年中期实现商用化。欧洲杯足球竞彩
“我们对这种创新化学感到非常兴奋。ibm -巴斯夫团队选择了一种新方法，利用对铜沉积机理的理解来设计分子添加剂系统。”欧洲杯足球竞彩“有了巴斯夫和IBM的强大资源，我们已经解决了镀铜领域的主要挑战，朝着生产更小、更快、更可靠的芯片的目标迈进了一步。”
实现无缺陷导体线是成功的铜沉积工艺的最关键要求。传统的保形填充镀铜具有均匀的铜沉积速率在顶部、底部和侧壁的特征，导致焊缝和缺陷。巴斯夫化学提供了快速填充或被广泛称为“超填充”，它用铜填充非常小的沟槽和通道，并产生无缺陷的线。在充填时，底部铜的沉积速率高于顶部和侧壁。
铜线可以显著提高芯片的性能，而这种高导电金属的沉积是构建多层互连结构的关键过程。目前最尖端的芯片技术被称为32纳米(nm)技术节点，下一代22纳米技术预计将在2011年推出。高性能芯片的制造需要特定的化学知识，因为尺寸越小，互连结构越复杂，需要高度复杂的化学处理解决方案。
镀铜化学可应用于32纳米和22纳米芯片技术，显著提高芯片上铜线的可靠性，提高芯片的性能和质量。