Kyma技术公司。作为超高纯度晶体氮化镓(GaN)和氮化铝(AlN)材料及相关产品和服务的领先供应商，今天宣布推出两条新的氮化镓模板产品线。欧洲杯足球竞彩
Kyma的硅上AlN模板是无裂纹和低弯曲的，由沉积在Si(111)衬底上的薄(高达200nm)晶体AlN层组成。直径为2"，3"和4"是目前可用的。晶态AlN层的高定向亚晶结构和光洁度(<1nm RMS)为用户沉积gan基器件层提供了极好的外延准备成核表面。
Kyma的GaN on Si模板是无裂纹和低弓的，由一个薄的，平滑的(<1nm RMS) GaN层沉积在Kyma AlN on (111) Si模板的顶部。目前提供的硅上氮化镓模板产品有一个500 nm的氮化镓层，直径为2”、3”和4”。氮化镓表面可以外延生长额外的氮化镓和氮化镓基器件层，如发光二极管(led)、场效应晶体管(fet)和肖特基二极管。
低成本硅基板和Kyma的低成本高性能沉积工艺的结合是制作高成本效益的高质量模板的优良起始成分。
Kyma的技术销售工程师Tamara Stephenson表示:“我们的客户一直要求我们开发基于硅基板的GaN和AlN模板产品。我们很高兴能开始接受这些备受期待的产品的订单。”
Kyma的首席运营官兼业务发展副总裁Ed Preble博士补充道:“市场对Kyma模板产品的吸引力非常大，特别是这些GaN和AlN在Si上的模板。我们的重要目标是根据市场不断扩大的需求，不断改进和扩大我们不断增长的高级晶体III-N基板产品组合。”
在未来，Kyma将提供更大直径的模板，并将进一步扩大GaN的厚度，以提供更低的缺陷密度和更高的热导率。