2004年10月22日
日立化学有限公司。最近开发了一种高性能的CMP浆料产品STI(浅槽隔离),可以减少划痕抛光的三分之二,提供了一个双重的增加现有产品的表面平整度。该公司决定推出新产品在2005年1月开始全面生产和销售。
化学物质平面化抛光(CMP)是一个技术和平滑不均匀表面生成的元素中隔离和半导体电路形成过程。CMP浆料是一种抛光溶液用于该应用程序。浅槽隔离(STI)是一个元素的隔离方法,电隔离硅晶片上的数以百万计的半导体器件。STI已经成为主要的方法设计规则约180纳米时占了上风,因为它适用于细线路,但它需要与CMP整平,因为它会导致电路形成过程的差异水平。抛光划痕CMP过程加剧造成的收益,然而,他们必须进一步降低开发设计规则110纳米的细电线,90纳米等。
为了满足这些需求,公司最近开发了一种高性能的CMP浆料产品能够实现降低三分之二的抛光划痕和双重的增加平面度在现有水平CMP过程中同时保持当前抛光速度。我们生产一个CMP浆料产品采用氧化铈粒子(CeO2)在1998年赢得了较高的声誉,产品STI要求最高的平面度用更少的抛光划痕和更快的抛欧洲杯猜球平台光速度作为他们的优势。这种高性能开发减少大小的氧化铈粒子(CeO2) 60%相比现有的产品。欧洲杯猜球平台我们将推出全面的销售活动的这个产品在2005年1月后建立一个系统的大规模生产600吨每年在山崎作品(Katsuta)(在Hitachinaka-shi,茨城县)。投资金额约十亿日圆,我们将构建新的扩展,等等,以进一步业务发展在未来,除了为氧化铈粒子粉末粉碎机器的安装。欧洲杯猜球平台
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