FBH使用Laytec系统生长氮化镓为基础的激光二极管

在太浩湖IC MOVPE十五(5月23-28)许多杰出的谈判处理流程优化的光学原位测量。Veit霍夫曼先生提出的其中一个是费迪南德•布劳恩研究所的柏林(FBH)。

基于氮化镓的增长控制激光二极管,研究团队FBH用途LayTec的全新400烟花直接在晶片表面温度测量和EpiCurve TT控制晶片鞠躬,口袋里的温度。

霍夫曼先生研究不同衬底材料的影响(蓝宝石和GaN)和不同的生长条件对晶片弓和温度均匀性在激光的活跃地区的增长。欧洲杯足球竞彩

图1显示了一个示例的温度测量在FBH沃甘甘缓冲增长。改变后的压力从600年mbar 60 mbar和H₂70% h₂/ 30% n₂,温度下降。EpiCurve TT,措施950烟花发射,表明,口袋里的温度(红色曲线)无关紧要的减少,而甘表面温度测量烟花400下降了75 K(橙色曲线)。这种差异没有烟花400年都不可能会被检测到。

研究证明,晶片表面温度的变化影响气相压力和温度远高于口袋。这是因为修改后的导热系数和气体的热容量低反应堆压力导致口袋和天花板之间的垂直温度梯度增加。

FBH的霍夫曼先生评论道:„烟花400我们获得关于温度效应的有价值的信息,对传统的不可见红外高温计。今天,这是最好的方法来提高表面温度的均匀性。”Using a convex pre-bowed GaN substrate and changing the growth conditions, the active region could be deposited on nearly flat wafers with homogeneous temperature distribution.