Imec实现了大面积(70厘米吗2)外延的太阳能电池的效率高达16.3%高质量的基质。和效率高达14.7%的实现大面积低质量的基板,显示潜在的外延薄膜太阳能电池工业制造业。取得的结果在imec的硅太阳能电池工业所属项目(IIAP),探索和开发先进工艺技术的目标大幅减少硅使用,同时大幅提高电池效率,因此进一步降低每瓦成本高峰。
除了wafer-based大部分硅太阳能电池imec旨在发展外延薄膜(< 20µm)硅太阳能电池硅生长在低成本航空公司在其硅太阳能电池IIAP . .硅外延薄膜过程中对低成本航空公司一般类似于大部分过程和外延工艺可以实现有限的设备投资在一个现有的晶体硅太阳能电池生产线。2020欧洲杯下注官网提高光的光学囚禁在活性细胞的一部分,一个埋葬多孔硅反射器。
Imec意识到20 im厚高质量外延硅堆highly-doped优质衬底和低成本,UMG(升级冶金级)类型,multi-crystalline Si衬底。p +型背面字段(BSF), p型基础和n型前端发射器被化学气相沉积生长。等离子体的光捕获方案由前表面的纹理结合内部多孔硅布喇格反射器定位在外延/基体界面。高质量的细胞基质与镀铜联系。对于低质量的基板上的电池,金属化是用筛网印花来实现,这是最后一步后扩散前表面场的形成(FSF)和氮化硅增透膜。通过这种方式,外延生长的晶片等效基质完全兼容标准工业(散装)太阳能电池处理。
“这些效率高达16.3%的高质量的基质和廉价的基质上to14.7 %显示,工业水平效率是触手可及的技术,”杰夫Poortmans)说,导演imec能源/太阳能项目。“通过实现铜接触计划,我们可以进一步提高效率使外延薄膜硅太阳能电池低成本的晶圆一个有趣的工业技术。