Imec集重要一步20 nm一半音高与电功能的实现铜互联线嵌入到硅氧化物使用spacer-defined双模式的方法。
“我们很自豪能成为世界上第一个在发展中国家和处理这样的小支互联工作;“Zsolt Tokei说,项目负责人在imec互联。“Spacer-defined(或自对准双模式)最近获得利益的模式技术未来闪存设备。我相信记忆公司将受益于这个最先进的结果。”
缩放互联对20 nm一半球场面临许多挑战。双模式需要光刻自金属线不能意识到在一个打印。因此,需要一个解决方案的实际设计分离结构的排列不同的面具。,填充(子)20纳米线是不可能使用标准的物理气相沉积的棕褐色/ Ta-based金属化。此外,直线边缘粗糙度控制变得越来越困难的进一步扩展。最后,工程模式堆栈需要最优的附着力。
Imec模式和金属化20 nm一半音高铜线与锡氧化硅金属硬掩模。模式是基于一个祭祀双硬掩模,并使用3照片(核心,修剪和补丁)和四个蚀刻步骤。核心照片密度定义行40 nm一半,削减后,腐蚀和垫片沉积导致20 nm一半音高间隔循环。修剪使大开口把间隔循环被腐蚀。和补丁定义最后的布局、电气连接和债券垫。覆盖控制是至关重要的以最终设计的测试模式。金属线之间的电介质间距准确控制由于spacer-defined集成方法。Ruthenium-based金属化计划被用来实现void-less填充。
互联的介质击穿特性进行测定,结果非常令人鼓舞的细分领域接近内在介质击穿绝缘帽和氧化层的属性。
这些结果与imec的关键合作伙伴在其核心CMOS程序:英特尔、微米、松下、三星、台积电、索尼、富士通、英飞凌、高通、圣微电子公司。