2004年11月16日
妞妞健脾温教授领导的一个研究小组从半导体超晶格国家重点实验室和微观结构附属中科院半导体研究所成功地开发一个GaAs-based长波长激光装置:在/砷化镓自组装量子点激光器产生激光的波长为1.33µm下连续波在室温下操作模式。专家说,这是最重要的领域的成就GaAs-based近红外,长波材料和设备近年来在中国。欧洲杯足球竞彩
众所周知,在不久的将来光纤通信网络将由光电集成的设备,以满足日益增长的要求,高速,更可靠的数据传输和处理系统的稳定运行。光电集成设备的技术现在在世界上成为一个热门话题。
目前,主要的设备广泛应用于当前光纤通信网络是由InP-based材料。欧洲杯足球竞彩然而,由于大量的主要困难,令人鼓舞的进展进一步扩展其应用范围至少暂时不会。
因此,急需开发新的功能材料。欧洲杯足球竞彩GaAs-based半导体是作为开发这类设备的一个不错的选择。最重要的种类GaAs-based半导体材料在近红外波长的形式从1.2到1.7µm在自组装量子点,GaInN欧洲杯足球竞彩As和GaInNAsSb量子井。最佳性能的量子点结构吸引科学家,因为他们擅长高速操作较低的功耗和新的功能。量子井是新的多元化合物指出的温度稳定性。近年来,这些新的半导体材料成为研究集中在最发达的西方国家。欧洲杯足球竞彩
自1990年代末,一个特殊的牛教授为首的研究小组在中科院半导体研究所资助了他们的工作。为了加快研究进度,团队是由来自不同领域的研究者从物质增长,物理分析设备技术。
研究人员目前为止已经经过三个阶段的探索。他们的成功的第一步是突破达到2000年之前的分子束外延技术InAs-bsed 0.9 - -1.1µm波长的量子点激光器。在第二阶段,到2002年,他们成功地获得1.3µm量子点高均匀性和在室温下光致发光效率高。他们的工作是在聚光灯下国际社会当一个世界纪录。他们的研究的最新发展是实现了在最近的两年。这包括一个棘手的问题的解决方案等的生长量子点与长波长在1.35¦Im和高密度超过4.0 e + 10 / cm2,和艾娜的制造工艺/砷化镓量子点激光器在连续波在室温下操作模式在1.33µm。这是第一个研究突破通过中国科学家在中国发展中长波长GaAs-based激光器。成功来自自己掌握的核心技术发展长波长和高密度的量子点和开发新技术制造的激光设备。
目前,他们正在推进1.3µm激光器的优化,以实现其实际应用,在平均时间在发展中GaAs-based量子井的新类型。几个新进展开发:发射波长InGaAs /砷化镓量子井创造了新的国际记录1.25µm室温;专利技术的气体来源瞬时控制技术独立开发并成功地增长新GaInNAs量子阱材料发射波长1.31 -1.42µm室温;欧洲杯足球竞彩描绘的发射机制的理论模型,提出了GaInAsNSb量子阱和超晶格;1.31室温µm GaInAs / GaAsSb激光设备实现,将扩大波长1.55µm。
研究工作是最热门的话题之一在当今高度竞争的领域的光纤通信系统。根据中国科学家的研究成果获得如上所述,预计在不久的将来,中国科学家将在进一步发展下一代GaAs-based长波长光电材料和设备进行工业应用。欧洲杯足球竞彩
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