2004年11月25日
Novellus Systems，Inc。，在全球半导体行业的高级沉积，表面制备和化学机械平面化（CMP）流程（CMP）的生产力和技术领导NM及以下。DirectFill利用Novellus的生产预先提供的Altus平台，消除了对常规钛/硝酸钛（TI/TIN）工具集的需求。与现有流程相比，这种高级插入技术可以将接触电阻（RC）和将总体所有权成本（COO）降低50％或更高。
Novellus的Altus DirectFill通过单个系统替换标准的多工具，Ti/Tin/W方法来简化钨沉积过程。This system integrates an advanced preclean process in one process module, followed by Novellus’ proprietary, pulsed nucleation layer (PNL™) deposition of tungsten nitride (WN) in a second module, and then a combined PNL and chemical vapor deposition (CVD) tungsten (W) deposition in a third module. The multi-station sequential deposition process modules used for WN and W deliver high productivity and process reproducibility.
Altus DirectFill技术提供了几种关键的技术优势。首先，氮化钨屏壁层表现出原子层沉积（ALD）形成性，并且比Ti/Tin Tin Liner-Barrier所取代的扁桃体层屏障（ALD）的结合性较薄，从而使更多的接触均具有较低的电阻率钨。氮化钨/低电阻率钨直接填充工艺可以在45 nm节点下将接触塞电阻降低多达50％。此外，PNL氮化物为钨提供了出色的屏障特性，并粘附在各种介电材料上。欧洲杯足球竞彩所有过程温度均低于400°C，可与未来的过程集成要求兼容。与竞争性系统不同，Altus DirectFill技术解决了填补高级节点的问题，而不会损害电阻率。
“ Altus DirectFill结合了一种创新的新模型，用于高级联系人填充，并获得了一个经过验证的Novellus平台的好处，” Novellus的Tungsten业务部门副总裁兼总经理Karl Levy说。“与传统的PVD/MOCVD过程序列不同，我们集成的单架结构技术方法可以增强当前的钨沉积应用，例如接触和位线，同时启用未来的应用，例如电容器电极和金属栅极电极，其中能型氮化物和Tungsten are tungsten是目前正在评估。这是一个具有重要技术优势的系统而不会牺牲生产力。” Levy补充说。
新工具可在200毫米（概念2 Altus DirectFill）和300毫米（概念三个Altus DirectFill）配置中使用。Novellus积极从事联合开发项目，并与全球二十多个客户合作，为广泛的应用程序和新兴技术开发流程。
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