2004年12月6日
Aviza技术production-proven热过程系统的领先供应商,一个行业的创新者原子层沉积(ALD),今天介绍缎(TM),一个低压化学汽相淀积(LPCVD)过程沉积氮化硅(罪)大约500摄氏度,子- 90纳米半导体制造业的一个重要功能。缎独特的化学特性,加上Aviza技术rvp - 500平台,实现下面的热预算要求90海里和设备特性。rvp - 500结合的优势减少周期时间由单一晶片提供工具和低拥有成本(首席运营官)与批处理炉。
缎过程包含专有的前兆,消除氯的问题(Cl)或碳污染罪电影和潜在的等离子体损伤。法国液化空气公司提供前体物质与Aviza技术合作,共同发展的过程。
“缎,专为实现我们rvp - 500开发的平台,是先进的热处理的重要一步,”苏说,副总裁和总经理Aviza技术的热业务单元。“进步如化学消费率降低过程成本低,交叉流动能力和灵活地运行可变负载大小50片强调Aviza技术致力于为全球客户提供先进的过程解决方案和高生产力的系统,降低首席运营官。”
缎的500摄氏度附近过程温度是一个重要的突破集成电路制造的逻辑,DRAM, flash, NAND和和设备在90 nm节点下面。子- 90 nm设备正面临着严重的预算要求较低的热由于存在先进的金属门,镍硅化物和肤浅的连接。传统的二氯甲硅烷氨(NH (DCS)3)过程对氮化硅薄膜淀积温度630度以上的高温c需要更新的bis tertiary-butylamino硅烷/ NH (BTBAS)3过程的温度在570摄氏度以上。这两个当前流程本质上满足今天的现代热预算限制能力,污染和降低等离子体损伤要求子- 90纳米膜的形成。
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