2004年12月8日
IBM今天宣布,它已经展示了一种技术,它使用三元组的性能标准晶体管在半导体过程与传统CMOS技术兼容,实现持续的性能增强的主要一步芯片和电子系统,使用它们。
这项技术涉及创建一个层的元素锗晶体管的电流流动的关键部分,称为“通道”。Germanium has long been known to have better conductivity than silicon, and the strain in the germanium layer created by IBM's process leads to even further performance gains.
半导体行业最近接受的概念提高电路性能通过提高晶体管的电流传输特性。其中一个例子是应变硅的引入,今天由几家公司在生产。紧张的锗已被证明有更好的传输性能比硅或应变硅。然而,直到现在没有一条路径,使紧张的锗的结合与传统电路制造技术。IBM已经证明方法可以有选择地把紧张锗芯片使用CMOS-compatible选定地区的过程。
引入新材料像锗的关键领域的集成电路提供了一个可供选择的方法,提高芯片性能的传统方法简单地减少电路。这是越来越重要的进一步小型化将变得更加困难和收益率收益递减。IBM相信这项新技术可以帮助确保持续性能改进与电路尺寸的32纳米芯片(nm)和小。
“系统性能取决于芯片的性能,将越来越多地依赖于新材料和设计技术,而不是简单的扩展,“陈说郭台强,IBM研究员和副总统的科学和技术,IBM的研究。欧洲杯足球竞彩欧洲杯线上买球”这项工作我们已经从我们的经验引入技术硅锗、绝缘体和应变硅。我们学习的重点是应用程序开发创新的解决方案为我们的客户。”
引入新材料在半导体行业有深远的影响,常常在其他领欧洲杯足球竞彩域创造新的问题或要求完全不同的生产流程。的独特之处在于IBM的结果是,选择性引入紧张锗只在关键领域集成电路提供了一个晶体管的三倍性能而不影响其他设备或电路在同一芯片上。这可以显著降低的风险,引入一种新的材料。
晶体管本身中,IBM的选择性strained-germanium技术实际上引入了其他福利。例如,集成电路(IC)产业正在寻找解决方案来取代传统的二氧化硅栅氧化层使用“high-K”绝缘体。然而,引入一个新的“high-K“绝缘体材料现有的硅技术被发现是特别具有挑战性;紧张的电气性能锗实际上提供了一个简单路径的引入“high-K”绝缘体。
的更多信息晶体管,点击在这里。