Kopin® Corporation (Nasdaq: KOPN), the world’s leading producer of heterojunction bipolar transistor (HBT) wafers for smart phones and other mobile devices, announced today that it has received a two-year, Phase II Small Business Innovative Research (SBIR) contract for the development of Aluminum Indium Nitride-based high electron mobility transistors (AlInN HEMTs).
通过导弹国防局（MDA）获得75万美元的奖励，将利用Kopin在III-Nitrides中的既定能力来提高Alinn材料的性能和制造性。欧洲杯足球竞彩
John C.C.博士说：“ MDA的SBIR计划验证了Alinn材料系统对高性能电子设备的潜力。”Fan，Kopin的总裁兼首席执行官。“我们的长期目标是将基于Alinn的电子材料商业化，该材料与我们非常成功的GAAS HBT WAFER业务相似。欧洲杯足球竞彩这是Kopin的一部分，旨在利用我们在III-V材料和纳米工程方面的专业知识为客户提供技术差异的解决方案。”欧洲杯足球竞彩
科宾技术副总裁韦恩·约翰逊（Wayne Johnson）博士说：“ Alinn材料系统表现出巨大的希望，可以扩展基于GAN的HEMTS的功率和频率能力，但这是一种挑战性的生产材料。在第一阶段的努力中，我们证明了在包括记录低片电阻在内的Alinn/GAN异质结构中令人鼓舞的结果。第二阶段的目标将涉及优化Alinn Hemt结构以及与前沿铸造厂合作的HEMT设备为X波段电子应用的制造。”
资源：http://www.kopin.com/