Kyma Technologies，Inc。是超高纯度氮化壳（GAN）和氮化铝（ALN）材料及相关产品和服务的领先供应商，今天宣布与Sensor Electronic Technology，Inc。（SETI）签署联合开发协议（JDA）（JDA）欧洲杯足球竞彩基于这些底物，要开发低缺陷密度的Algan底物和高性能光电和电子设备。
在此JDA下，Kyma将开发新型的低缺陷密度α底物，而SETI将利用这些底物来开发下一代高效率深紫外线LED。
每个氮化物半导体设备层堆栈都有一个首选的底物晶格常数，这意味着首选的底物组成。对于分别富含Aln和Gan的设备层堆栈，ALN和GAN底物是优选的。对于具有中间首选晶格常数的设备层堆栈，例如深紫外线LED和某些下一代高频和高功率电子设备，优选Algan底物。
SETI是世界上唯一的深紫外线和LED灯的商业制造商，目前拥有240nm至400nm的LED，LED灯和LED解决方案组合。最近，SETI宣布在UVC频谱中超过30 MW的高功率单芯片LED。
SETI总裁兼首席执行官雷米斯·加斯卡（Remis Gaska）总裁兼首席执行官说：“根据本协议进行的底物发展将有助于SETI继续提高其高力LED和灯的性能。LED产品。”
Kyma Technologies总裁兼首席执行官Keith Evans补充说：“我们很高兴能够与SETI合作开发低缺陷密度的Algan底物产品线，这应该受益于一系列高级氮化物半导体设备技术。”
SETI和KYMA将于9月19日至24日在佛罗里达州坦帕市的氮化物半导体（IWN 2010）举行的国际研讨会上举行。