DCCSS发展新的零Micropipe技术76毫米4 h-sic晶体生长

从道康宁2010年10月20日

道康宁化合物半导体解决方案(DCCSS)已经开发出技术增长76毫米直径4 h-sic晶体micropipe自由的缺陷。

晶体由零micropipe新技术现在经常和供应DCCSS 76毫米4 h-sic晶片和外延生产线。

Micropipe缺陷是高度专注于杀手半导体碳化硅设备缺陷。免费的SiC基质micropipes建立潜在生产碳化硅设备更高的收益率比与碳化硅基板可能可用。

“道康宁将继续投资于我们的国家信息技术进步的支持我们的客户实现他们的目标努力,”弗雷德说看成,商业经理。“我们用我们的技术经验,开发先进的电力电子市场应用解决方案,导致创新,节能产品成本效益。”

引用

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美国心理学协会
道康宁。(2019年2月10日)。DCCSS发展新的零Micropipe技术76毫米4 h-sic晶体生长。AZoM。检索2023年4月28日,从//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=25205。
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道康宁。“DCCSS发展新的零Micropipe技术长76毫米4 h-sic晶体”。AZoM。2023年4月28日。< //www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=25205 >。
芝加哥
道康宁。“DCCSS发展新的零Micropipe技术长76毫米4 h-sic晶体”。AZoM。//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=25205。(2023年4月28日通过)。
哈佛大学
道康宁2019。DCCSS发展新的零Micropipe技术76毫米4 h-sic晶体生长。AZoM,认为2023年4月28日,//www.wireless-io.com/news.aspx?newsID=25205。